1，igbt屬于什么控制型器件 igbt屬于電壓控制型器件――電壓控制電流。

2，igbt屬于什么控制型器件igbt的內部結構是 igbt屬于電壓控制型器件――電壓控制電流。MOS管與BJT復合。

3，電磁爐中的IGBTH20R1202和H15R1203的區(qū)別是什么 電流不一樣！ 一個是20A。一個是15A

4，IGBT是電壓型還是電流型器件GTR呢 igbt 電壓型gtr 電流 沒看懂什么意思？

5，igbt是什么了 IGBT在電磁爐里是高頻振蕩管，它是和渦流線圈共同作用產生震動磁場，使食物分子相互間摩擦從而產生熱量使食物加熱熟~！IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的英文縮寫?？梢苑g做絕緣柵雙極晶體管。IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡化IGBT驅動器的原理圖。IGBT基本結構見圖1中的縱剖面圖及等效電路。 IGBT硅片的結構與功率MOSFET 的結構十分相似，主要差異是IGBT增加了P+ 基片和一個N+ 緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分)。如等效電路圖所示(圖1)，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。基片的應用在管體的P+和N+ 區(qū)之間創(chuàng)建了一個J1結。 IGBT是一種功率晶體，運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能，使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優(yōu)點。